Infineon BFPx4 RF電晶體

Infineon BFP840異質接面雙極性電晶體是專為5-6GHz Wi-Fi應用所設計，並以Infineon可靠的高產能SiGe:C技術為基礎打造而成。這些裝置在5-6GHz下，提供內建出色的輸入與輸出功率匹配，以及內建優異的雜訊匹配能力。同步的雜訊與功率匹配，輸入沒有會失真的外部匹配元件，能讓Wi-Fi應用減少外部零件的數量、實現優異的雜訊係數和極高的傳感器增益。整合於輸出入端的保護元件，讓裝置能夠抵抗ESD和超出的RF輸入功率。這些裝置能在低電流和電壓下提供高效能，尤其適合用在極重視能源效率、以電池供電的應用。

BFR840L3RHESD Datasheet
BFP840ESD Datasheet
BFP840FESD Datasheet

Infineon BFP842ESD異質接面雙極性電晶體是一款高效能的HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)，專為2.3 - 3.5GHz LNA應用所設計，並以Infineon可靠的高產能SiGe:C技術為基礎打造而成。BFP842ESD介於2.3至3.5GHz間，可提供內建出色的輸入功率匹配，以及內建優異的雜訊匹配能力。同步的雜訊與功率匹配，輸入端沒有會失真的外部匹配元件，能讓應用減少外部零件的數量、實現優異的雜訊係數和高傳感器增益。整合於輸出入端的保護元件，讓裝置能夠抵抗ESD和超出的RF輸入功率。這些裝置能在低電流和電壓下提供高效能，尤其適合用在極重視能源效率、以電池供電的應用。裝置採用容易使用、導線可見的產業標準封裝。

BFP842ESD Datasheet

• 耐用的超低雜訊放大器是以Infineon可靠、高產能的SiGe:C技術為基礎
• 高階RF效能與耐用度的獨特結合：16dBm最高RF輸入功率，1kV HBM ESD耐用度
• 高線性，OIP3 = 25.5dBm，於3.5GHz、2.5V、15mA下
• 高轉移頻率fT = 60GHz，能在高頻下實現超低雜訊係數：NFmin = 0.65dB，於3.5GHz、2.5V、5mA下
• 傳感器增益|S21|2 = 16dB，於3.5GHz、2.5V、15mA下
• 適合低電壓應用，如VCC = 1.8V和2.85V（3.3V、3.6V需有對應的集極電阻器）
• 低耗電量，適合行動應用
• 容易使用、無鉛（符合RoHS標準）、無鹵素，符合產業標準導線可見的封裝
• 認證報告符合AEC-Q101

• 超低雜訊放大器 (LNA)，適用於：
  • 行動與固定連接的應用：WLAN 802.11b/g/n、WiMAX 2.5/3.5GHz、藍牙
  • 衛星通訊系統：GNSS導航系統（GPS、GLONASS、COMPASS/Beidu/Galileo）衛星無線電（SDAR、DAB和C頻段LNB）及C頻段LNB（第1級和第2級LNA）
  • 多媒體應用，例如行動/可攜式電視、行動電視、FM廣播、3G/4G UMTS/LTE行動電話應用
  • ISM應用，例如RKE、AMR和Zigbee
  • 作為獨立的主動式混合器、VCO中的緩衝區放大器
   

Infineon BFP640FESD寬頻RF電晶體為矽鍺碳 (SiGe:C) NPN異質接面寬頻雙極性RF電晶體 (HBT)，採用導線可見的塑膠輕薄型平坦4腳位雙發射器封裝。裝置裝有內部保護電路，可強化對ESD和高RF輸入功率的保護能力。裝置結合耐用度和非常高的RF增益，在低作業電流下具有最低的雜訊係數，可使用在各種無線應用中。BFP640FESD尤其適合用在需要降低耗電量、以電池供電的可攜式應用。裝置設計支援最高到4.1V的集極電壓。

BFP640ESD Datasheet

• 耐用具高效能的超低雜訊放大器，是以Infineon可靠的高產能SiGe:C晶圓技術為基礎
• 整合保護電路，具備2kV ESD耐用度 (HBM)
• 最高RF輸入功率達21dBm
• 1.5GHz時最小雜訊係數典型值為0.6dB，2.4GHz和6mA時為0.65dB
• 1.5GHz時最高增益Gms典型值為28.5dB，2.4GHz和30mA時為25dB
• 2.4GHz和30mA時OIP3典型值為26dBm
• 輕薄小巧、平坦、無鉛、無鹵素（符合RoHS標準）的封裝，導線可見

• 低雜訊放大器 (LNA)，適用於：
  • 行動、可攜式與固定連接的應用：WLAN 802.11a/b/g/n、WiMax 2.5/3.5/5GHz、UWB、藍牙
  • 衛星通訊系統：導航系統（GPS、Glonass）、衛星無線電（SDAR、DAB）和C頻段LNB
  • 多媒體應用，例如行動/可攜式電視、CATV、FM廣播
  • 3G/4G UMTS/LTE行動電話應用
  • ISM應用，例如RKE、AMR和Zigbee，以及新興的無線應用。
• 作為獨立的主動式混合器、放大器，使用於：
  • VCO和緩衝區放大器
   

相關產品： Infineon BGS12SL6 RF MOS開關為通用型的0.1 - 6.0GHz SPDT開關，適合用在手機系統和WLAN應用中的頻段/模式切換。任何2個連接埠皆能用作分集式天線的終端，處理能力最高到27.5dBm。此單一供電的晶片整合了晶片內建的CMOS邏輯，以簡單的單腳位CMOS或TTL相容控制輸入訊號驅動。0.1dB壓縮點超出了開關最高的輸入功率等級，因此所有訊號位準均能達到線性效能。RF開關在1GHz下具有超低的0.25dB插入耗損，在2.5GHz範圍下為0.35dB。BGS12SL6 RF開關以Infineon專利的MOS技術製成，同時具備GaAs的效能，以及傳統CMOS的經濟效益與整合度，包括先天較高的ESD耐用度。裝置尺寸小巧，僅0.7x1.1mm2，高度也僅0.31mm。只要沒有DC連接到任何的RF連接埠，其在典型應用下便不需解耦電容器。

BGS12SL6 Datasheet

• 2個高線性TRx路徑，功率處理能力最高到27.5dBm
• 高切換速度，適合WLAN和藍牙應用
• 所有連接埠均具備雙向功能
• 低插入損耗
• 低諧波生成
• 高階的埠對埠隔離

• 0.1至6GHz涵蓋範圍
• 高ESD耐用度
• 晶片內建控制邏輯
• 超小巧的無導線和無鹵素封裝TSLP-6-4 (0.7x1.1mm2)，高度超低，僅0.31mm
• 只要沒有DC連接到任何的RF連接埠，便不需解耦電容器
• 符合RoHS標準的封裝

相關產品： Infineon ESD112B1 TVS ESD/瞬態保護二極體為雙向、超低電容的ESD/瞬態保護二極體，專為保護RF訊號線路所設計。最高工作電壓為±5.3V，具備極低的電容、低箝位電壓、超低反向電流、超小巧的外型尺寸，採用無鉛（符合RoHS標準）和無鹵素封裝。典型應用包括敏感RF訊號線的ESD保護、藍牙Class 2和自動讀表、前端模組的RF天線保護、GPS、行動電視、FM廣播，以及UWB和行動裝置。

• RF訊號線的ESD/瞬態保護，符合：
  • IEC61000-4-2 (ESD)：±20kV（空中/接觸）
  • IEC61000-4-4 (EFT)：±40A (5/50ns)
  • IEC61000-4-5（突波）：±3A (8/20μs)
• 最大工作電壓：V_RWM ±5.3V
• 超低電容：C_L = 0.2pF（典型值）
• 低箝位電壓：V_CL = 29V（典型值），於I_PP = 16A時
• 超低反向電流I_R < 1nA（典型值）
• 超小巧的外型尺寸，0.62x0.32x0.31mm³
• 不含鉛（符合RoHS標準）且不含鹵素封裝

• 敏感RF訊號線的ESD保護、藍牙Class 2、自動讀表
• RF天線保護、前端模組、GPS、行動電視、FM廣播、UWB、行動裝置

ESD112B1 Datasheet