Infineon Technologies MoBL®超可靠異步SRAM

Cypress MoBL®超可靠異步SRAM的性能可滿足各種高可靠性工業、通信、資料處理、醫療、消費和軍事應用的需求。這些SRAM可採用片上ECC。這些裝置在外形、適用性和功能上與上一代異步SRAM相容。這樣即可提高系統可靠性，而無需PCB重新設計投資。這些是首個將快速異步SRAM的存取時間與獨特的超低功率睡眠模式 (PowerSnooze™) 結合在一起的裝置系列。透過這些Cypress快速SRAM，在異步SRAM應用中無需在性能和功耗之間進行權衡。透過被稱為PowerSnooze的全新超低功率休眠模式，可讓現有產品系列實現最佳特性。PowerSnooze是標準異步SRAM工作模式（活動、待機和資料保留）的另一個工作模式。深度睡眠腳位 (DS#) 支援在高性能活動模式和超低功率PowerSnoze模式之間切換裝置。4Mb裝置上的深度睡眠電流低至15μA，具有PowerSnooze功能的快速SRAM將快速和微功耗SRAM的最佳特性融合在單一裝置中。