Analog Devices Inc. HMC637BPM5E MMIC

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E單晶微波積體電路 (MMIC) 為砷化鎵 (GaAs)、高電子移動率電晶體 (pHEMT) 和串接分散式功率放大器。MMIC在正常運作下會自我偏置,並具備選擇性的靜態電流 (IDQ) 調整、二階交調截斷 (IP2) 和三階交調截斷 (IP3) 最佳化的偏壓控制。放大器可在DC至7.5 GHz的範圍內運作,提供15.5 dB的小訊號增益,1 dB增益壓縮下可達28 dBm輸出功率。裝置亦具備39 dBm的輸出IP3典型值以及3.5 dB雜訊係數,使用12V供應電壓 (VDD) 時耗電量需為345 mA。

HMC637BPM5E適用於軍事、太空和測試設備等應用,在DC至7.5 GHz範圍下的典型增益平坦度為±0.5 dB。HMC637BPM5E的輸入/輸出 (I/O) 內部匹配為50Ω。

裝置採用符合RoHS標準、5×5 mm、預注模腔的導線框晶片尺寸封裝 (LFCSP),適合用於高容量的表面黏著技術 (SMT) 組裝設備。

 

特點

  • P1dB輸出功率:28 dBm(典型值)
  • 增益:15.5 dB(典型值)
  • 輸出IP3:39 dBm(典型值)
  • 50Ω匹配輸入/輸出
  • VDD自我偏置在345 mA下為12V(典型值) 
    • 選擇性偏壓控制,VGG1下可進行IDQ調整
    • 選擇性偏壓控制,VGG2下可進行IP2和IP3最佳化
  • 32導線、5 × 5 mm LFCSP封裝:25mm2

應用

  • 軍事與太空
  • 測試儀器

方塊圖

結構圖 - Analog Devices Inc. HMC637BPM5E MMIC
發佈日期: 2018-08-15 | 更新日期: 2023-02-24