特點
- 非反射50Ω設計
- 0V/3.3V正壓控制
- 8.0 GHz下的低插入損耗為0.68 dB
- 8.0 GHz下的高隔離能力達48 dB
- 高功率處理:
- 35dBm通過路徑
- 27dBm終止路徑
- 高線性
- 37 dBm可達1 dB壓縮 (P1dB)(典型值)
- 輸入三階交調截斷 (IIP3) 為62 dBm(典型值)
- ESD額定值2 kV,人體放電模式 (HBM)
- 無低頻雜散
功能方塊圖
發佈日期: 2016-11-28
| 更新日期: 2022-03-11

