Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬頻SMT矽電容器
Murata BBSC/UBSC/ULSC超寬帶SMT矽電容器適用於光通訊系統（ROSA/TOSA、SONET及所有光電組件），以及高速資料系統或產品。這些電容器設計用於DC阻止、耦合及旁通接地應用。這些矽電容器提供低插入損失、低反射和高相位穩定性，從用於UBSC的16kHz至最高67GHz、用於BBSC的最高40GHz及用於ULSC的最高20GHz。這些深槽矽電容器已採用半導體MOS工藝開發，允許過電壓(0.1%/V)和高溫(60ppm/K)下的高可靠性和電容穩定性。
這些組件的操作溫度範圍達-55°C至+150°C。高溫固化流程（高於900°C）可產生高純度氧化物，提供可靠與可重複的性能。BBSC/UBSC/ULSC系列符合標準的JEDEC組裝規則，使產品完全相容於高速自動揀選與貼裝製造操作。這些電容器符合RoHS規定，可根據外殼尺寸提供ENIG終端或無鉛凸點預製。
特點
- 高達110GHz的超寬頻性能
- 無共振，可實現超低群時延變化
- 得益於傳輸模式下阻抗匹配的超低插入損耗
- 旁路接地模式下的低ESL與低ESR
- 電容值在溫度、電壓及老化方面的高穩定性
- 高可靠性
- 與無鉛迴流焊相容
規格
- 1nF至100nF電容範圍
- ±15%電容公差
- 温度范围
- -55°C至+150°C（操作）
- -70°C至+165°C（儲存）
- +60ppm/K溫度係數
- 11VDC或30VDC擊穿電壓
- <0.001%/1000小時老化
- 高400µm或100µm
應用
- 光電元件／高速資料
- 跨阻抗放大器(TIA)
- 收發光組件(ROSA/TOSA)
- 同步光網路(SONET)
- 高速數位邏輯
- 寬頻測試裝置
- 寬頻微波／毫米波
- 替代X7R與NP0電容器
- 超薄矮型應用
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發佈日期: 2019-10-24
| 更新日期: 2023-12-02