Littelfuse SiC MOSFET
Littelfuse SiC MOSFET專為高頻、高效應用最佳化。這些耐用的SiC MOSFET採用TO-247-3L封裝，擁有超低導通電阻。Littelfuse提供內部設計、開發及製造的SiC MOSFET，這些裝置具備極低的閘極電荷與輸出電容，所有溫度範圍下均提供領先業界的效能與耐用性，且具備超低的導通電阻。現在提供1200V、120和160毫歐版本。
特點
- 專為高頻、高效應用最佳化
- 極低的閘極電荷與輸出電容
- 用於高頻切換的低閘極阻抗
- 在所有溫度下均可保持常閉狀態
- 超低導通電阻
- 從系統層面減少被動濾波器元件數量
- 降低所需冷卻技術的規模與複雜性
- 提高了功率密度
應用
- 電動汽車
- 工業機械
- 可再生能源
- 醫療設備
- 太陽能變頻器
- 開關模式電源
- 不間斷電源
- 電機驅動器
- 高電壓DC/DC轉換器
- 感應加熱
影片
Featured MOSFETs
IXYS LSIC1MO120G0x N-Channel SiC MOSFETs
1200V drain-source voltage rating, 25mΩ to 160mΩ resistance range, and 14A to 70A currents.
IXYS LSIC1MO170E0750 N-Channel SiC MOSFET
750mΩ N-channel MOSFET optimized for high-voltage, high-frequency, and high-efficiency applications.
Related Solutions
Littelfuse 資料中心解決方案
有助於使資料中心可靠、節能及安全。
發佈日期: 2017-10-05
| 更新日期: 2025-10-09