ISSI 512Mbx8 & 256Mbx16 DDR4 SDRAM
ISSI512MBX8及256MBX16DDR4 SDRAM是高速動態隨機存取記憶體裝置，內部採用八組設置。雙倍資料傳輸率4同步動態隨機存取存儲體組分為兩組，每組擁有四個DRAM組。DDR4 SDRAM使用8n預取架構實現高速操作。ISSI 4GB DDR4 SDRAM裝置可提供高達2666Mbps的高速資料傳輸速率，是電訊及網路、汽車及工業內建計算的理想選擇。
特點
- 標準電壓：VDD = VDDQ = 1.2V、VPP=2.5V
- 資料完整性
- DRAM內建TS自動自刷(ASR)
- 自動及自我刷新模式
- DRAM存取頻寬
- 按存儲體組劃分的隔離式IO門控結構
- 自刷中止
- 細粒度刷新
- 通過MR設置寫入均衡
- 透過MR設置寫入均衡
- 透過MPR讀取均衡
- 可靠性及錯誤處理
- 命令／地址校驗
- 資料匯流排寫入CRC
- MPR讀數
- 邊界掃描(x16)
- 訊號完整性
- 內部VREFDQ培訓
- 讀取前置培訓
- 減速模式
- 每DRAM可定址性
- 可配置的DS，以實現系統相容性
- 可配置的裸片終端
- 資料總線反轉(DBI)
- 透過外部ZQ襯墊(240Ω+/-1％)進行DS/ODT阻抗精度的ZQ校準
- 帶有VDDQ端接的POD
- 帶有VDDQ終端的POD
- 命令／地址延遲(CAL)
- 最大節電
- 低功率自動自刷(LPASR）
應用
- 電訊／網路
- 訪問及聚合節點
- 存取及聚合節點
- 開關及路由器
- 分組光傳輸
- 網路存儲（PON OLT、DSLAM、CMTS、無線）
- 汽車
- 資訊娛樂
- 遠程資訊處理
- 驅動器資訊系統
- 工業
- 人機介面
- 內建計算
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ISSI DDR3 SDRAM
Deliver high-speed data transfer rates up to 2133Mbps.
影片
發佈日期: 2019-07-05
| 更新日期: 2024-03-05