Infineon Technologies StrongIRFET™ 2功率MOSFET
英飛凌科技StrongIRFET™ 2功率MOSFET是N通道、標準電位且經過100%突崩測試的MOSFET。英飛凌StrongIRFET 2 MOSFET針對廣泛的應用最佳化。MOSFET提供80V至100V的VDS範圍和2.4 mΩ至8.2 mΩ的RDS(on)。
特點
- 針對廣泛的應用最佳化
- N通道、標準電位
- 通過100%突崩測試
- 無鉛引線電鍍
- 符合RoHS標準
- 不含鹵素，符合IEC61249-2-21標準
封裝電路應用
封裝樣式
Featured Products
Infineon Technologies StrongIRFET™ 2 Power MOSFETs in 30V
Optimized for low and high switching frequencies, enabling design flexibility.
發佈日期: 2021-01-21
| 更新日期: 2025-09-24