Infineon Technologies 600V CoolMOS™ SJ S7功率MOSFET
英飛凌600V CoolMOS™ SJ S7功率MOSFET可為低頻開關應用提供最佳性價比。CoolMOS S7具有針對HV SJ MOSFET增加了最低RDS(on)值，可大幅提高能源效益。CoolMOS S7優化用於「靜態開關」和大電流應用。它非常適合用於固態繼電器、斷路器設計以及用於SMPS和逆變器拓撲中的線路整流。
特點
- CoolMOS S7技術實現22mΩ RDS(on)，佔位面積極小
- 針對低頻開關應用，優化了性價比
- 高脈衝電流能力
- TO-220封裝，全無鉛裸片連接
- 開爾文源極腳位提高了大電流時的開關性能
- TOLL封裝達到MSL1級、完全不含鉛、設有便於目視檢查的引線
- 最大限度地降低導通損耗（消除/減少散熱片）
- 系統效能改善
- 更緊湊、更簡單的設計
- 使用壽命長，BOM或/和TCO更低
- 快速開關時間
- 可靠性更高，系統壽命更長
- 抗衝擊、抗振動
- 在整個壽命週期內沒有觸點電弧、彈跳或降級
應用
- 固態繼電器和斷路器
- 大功率/高效能應用（計算、電信、UPS和太陽能）中的線路整流
- 二極體橋接並聯/替換，用於大功率/高效能應用（計算、電信、UPS和太陽能）中的線路整流
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開發工具
Infineon Technologies EVAL_3K3W_TP_PFC_CC CoolMOS™ CCM Totem Pole PFC
Bridgeless totem pole PFM enabled by CoolMOS™ power MOSFETs and an XMC™ Microcontroller.
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發佈日期: 2020-01-17
| 更新日期: 2025-10-30