EPCOS CeraLink™電容器

EPCOS CeraLink™電容器採用新獲得專利的反鐵電電容器技術，採用可隨電壓增加而使電容增加的材質。此功能使Ceralink非常適合緩衝器應用。

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年度電子創新獎 (ACE)
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EPCOS CeraLink™ 電容器採用新獲得專利的反鐵電電容器技術，其特性為當電壓增加時，電容亦隨之增加。

CeraLink電容電壓曲線圖

EPCOS Capacitance to Voltage Graph

CeraLink™支援更高的切換頻率，並藉由其極低的ESL與ESR特性，採用成本更低且更耐用的半導體元件（例如採用高速IGBT，而非MOSFET）。其特色包括明顯較低的製造複雜度、通常小於超級結MOSFET的晶片面積，以及高切換頻率等，使此款最新的IGBT具有優異的性價比。此類型解決方案的成本較MOSFET解決方案低三分之一。此外，電容值、電路板空間、磁性、散熱裝置等亦將大幅降低，因此解決方案的總成本(TCS)可降低40%以上。

若僅用於系統整合，CeraLink™可降低半導體元件因系統方式產生的峰值過電壓而損壞的風險。本產品的緩衝功能可使半導體元件維持在安全操作區域內。此整合可承受使用者造成的附加DC-Link電容器(DCL)的任何故障。

新獲得專利的系統解決方案

Ceralink的多層式結構採用全新設計的陶瓷材料並結合銅內電極，可提供經濟性與效能優勢。

優點

ESR隨溫度大幅降低
極低的ESL
銅內電極材料屬性有助於高頻率切換及低損耗，能以高Imax達到快速的旋轉率
適用於最高達1 MHz以上的切換頻率!
最高達150°C的寬廣作業溫度範圍（亦適用於SiC/GaN！）
高頻率、低損耗
支援快速切換半導體
支援系統層級電力電子元件進一步小型化

因材料的選擇而達到超低的漏電流
藉由提高頻率以降低電介質耗損
適用於焊接及現代快速壓合技術的端子
無負直流偏壓，可降低電容(最高可達V_OP)
採用小型外殼並可選購適用於工業及汽車應用的典型電源模組，例如零缺陷概念
特殊類型的電源模組整合(IGBT/MOSFET/SiC)
可透過QR-Code提供可追溯性（依據設計而定）

產品特色

高電容密度
極低的ESR與低ESL
高電流密度、高效率漣波電壓抑制能力
藉由提高電壓以提升有效電容
可達到高溫偏離
高頻率、低損耗
支援快速切換半導體
支援系統層級電力電子元件進一步小型化

規格

絕緣電阻：1GΩ至10GΩ的極高電阻，因此漏電流非常低，特別是在高溫時
ESL: <4nH極低
ESR: <4mΩ極低，即使在低電容時，因此可達到損耗（典型值）
作業溫度：-40°C至+125°C（短時間可達+150°C），因此亦適用於SiC

產品組合

EPCOS CeraLink™電容器是極為小型化的解決方案，適用於以SiC與GaN半導體為基礎的快速切換轉換器的緩衝器與DC連結。上述新款電容器以陶瓷材料PLZT（鋯鈦酸鉛鑭）為基礎。相對於傳統電容器，CeraLink在應用電壓時可達到最高電容，而且甚至可等比例增加漣波電壓的比率。目前提供兩種版本，SMD薄型版本具備1µF電容、額定電壓500V DC，焊接腳位接點版本則具備20µF電容、額定電壓500V DC。上述兩種版本皆提供低於3.5nH的極低ESL值。此電容器的設計可用於-40°C至+125°C的溫度範圍，甚至可承受短暫曝露於150°C。