EPCOS / TDK CeraLink 電容器
TDK CeraLink 電容器採用專利的反鐵電電容器技術,該技術基於可隨電壓增加而增加電容的材料。該技術使這些電容器成為緩衝器應用的理想選擇。此元器件具有低 ESL 和 ESR 屬性,同時支援更高的開關頻率和更穩健的半導體(高速 IGBTT 與 MOSFET)。TDK CeraLink 電容器由於製造複雜性較低、開關頻率較高且晶片面積通常小於超級結 MOSFET,因此具有理想的成本效益比。此類解決方案的成本低於 MOSFET 解決方案。當僅用於系統整合時,電容器可降低因系統方法引起的峰值過壓而損壞半導體的風險。緩衝器功能可將半導體保持在安全操作區域。CeraLink 產品組合
愛普科斯 CeraLink 電容器是一款高度緊湊型解決方案,適用於基於 SIC 和氮化鎵半導體的快速開關轉換器的緩衝器和DC-Link。這些元器件基於陶瓷材料鉛鑭鋯鈦酸鹽 (PLZT)。與傳統陶瓷電容器相比,CeraLink 產品在應用電壓下提供最大電容,且該電容也與紋波電壓的份額成比例增加。
四種 CeraLink 設計可供選擇。薄型 (LP) 系列的電容範圍為 0.25µF 至 1µF,額定電壓介於500VDC 至 900VDC 之間。 焊針 (SP) 版本的電容範圍為 5µF 至 20µF,額定電壓介於500VDC 至 900VDC 之間。 柔性組裝 (FA) 元器件提供 0.25µF 至 10µF 的電容範圍以及500VDC 至 900VDC 之間的額定電壓。表面貼裝 (SMD) 元器件具有 0.25uF 額定電容和 500VDC 額定電壓。
特點
- 高電容密度
- 極低的 ESR 和低 ESL
- ESR 隨溫度急遽下降
- 高電流密度,有效降低紋波電壓能力
- 隨著電壓升高有效電容增加
- 能夠進行高溫漂移
- 高頻時損耗低
- 支援快速開關半導體
- 支援系統級電力電子元器件的進一步小型化
- 適用於 1MHz 及以上的開關頻率
- 銅內電極材料特性有利於高頻開關,具有低損耗和高 Imax 的快速壓擺率
- 由於材料選擇而具有超低漏電流
- 隨著頻率的增加,介電損耗逐漸減少
- 用於焊接和現代快速壓接技術的端子
- 透過直流偏置增加電容直至達到工作電壓
- 緊湊型外殼,可選擇工業和汽車應用的典型電源模組
- 用於整合到功率模組 (IGBT/MOSFET/SIC) 的特殊類型
規格
- >1GΩ 絕緣電阻,漏電流低(特別是在高溫下)
- 極低的 ESL <3.5nH
- -40°C 至 +125°C 操作溫度範圍(短時間可達 +150°C),也適用於 SIC 和 GaN
電容器技術概況
CeraLink 目標應用
影片
發佈日期: 2013-01-10
| 更新日期: 2024-01-05
