+ 85 C NVRAM

結果: 107
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 封裝/外殼
接口類型
存儲容量
組織
數據匯流排寬度
存取時間
電源電壓 - 最大值
電源電壓 - 最小值
運作供電電流
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,350
倍數： 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 512K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104K Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,080
倍數： 1,080

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104M Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Reel
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 20ns 256K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 4Mb 3V 25ns 256K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 216
倍數： 216

TSOP-II-54 1 Mbit 64 k x 16 16 bit 25 ns 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C CY14B104NA Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1
倍數： 1

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,350
倍數： 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108K Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,495
倍數： 1,495

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 20ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,350
倍數： 1,350

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 1024K x 8 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-44 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108L Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108M Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108M Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 598
倍數： 598

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Tray
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 2,000
倍數： 2,000
: 2,000

FBGA-48 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel
Infineon Technologies NVRAM 8Mb 3V 25ns 512K x 16 nvSRAM
規格書
無庫存前置作業時間 26 週
最少： 1,000
倍數： 1,000
: 1,000

TSOP-II-54 3.6 V 2.7 V - 40 C + 85 C CY14B108N Reel