200 MHz DRAM

結果: 134
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 類型
存儲容量
數據匯流排寬度
最高時鐘頻率
封裝/外殼
組織
存取時間
電源電壓 - 最小值
電源電壓 - 最大值
最低工作溫度
最高工作溫度
系列
封裝
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
583庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
235庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
639庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM 256Mb 200MHz 18V ITemp Suggested Alt APS256XXN-OB9-BG same device higher speed
規格書
1,963庫存量
9,600在途量
最少： 1
倍數： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A)
規格書
2,910庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C16M16D1A Tray
Infineon Technologies S70KS1282GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
416庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 128 Mbit 8 bit 200 MHz 16 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
規格書
936庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
304庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
44庫存量
676在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
81庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 64 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
24庫存量
780在途量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
17庫存量
338預期7/8/2026
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 512 Mbit 200 MHz FBGA-24 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A), T&R
規格書
538庫存量
可選用MouseReel
最少： 1
倍數： 1
: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1A Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A
規格書
355庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C32M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp (A)
規格書
248庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1A Tray
Infineon Technologies S80KS2563GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM
規格書
131庫存量
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 32 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, BGA, 200 MHz, Industrial Temp - Tray
規格書
200庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Industrial Temp(A)
規格書
140庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C16M16D1A Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 60-ball BGA, 200 MHz, Industriall Temp - Tray
規格書
155庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TFBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C AS4C32M16D1 Tray
Alliance Memory DRAM DDR1, 128Mb, 8M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A Die
規格書
68庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C8M16D1A Tray
Winbond DRAM 128Mb DDR SDRAM x16 200MHz, 46nm
規格書
158庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 8 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C W9412G6KH Tray
Winbond DRAM 256Mb HyperRAM x16, 200MHz, Ind temp, 1.8V 249庫存量
111預期21/9/2026
最少： 1
倍數： 1

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz WFBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Winbond DRAM 128Mb SDR SDRAM x16, 200MHz, Ind temp
規格書
122庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM 128 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C W9812G6KH Tray
ISSI DRAM 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 200MHz at CL3, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS
規格書
102庫存量
最少： 1
倍數： 1

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 200 MHz BGA-144 4 M x 32 5 ns 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray