|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$55.81
-
2,393庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L1111B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
2,393庫存量
|
|
|
HK$55.81
|
|
|
HK$39.78
|
|
|
HK$38.22
|
|
|
HK$33.37
|
|
|
HK$29.51
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$67.08
-
2,646庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L1414B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,646庫存量
|
|
|
HK$67.08
|
|
|
HK$45.54
|
|
|
HK$33.37
|
|
|
HK$32.80
|
|
|
HK$30.09
|
|
|
HK$26.72
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$38.14
-
2,667庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L2727B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,667庫存量
|
|
|
HK$38.14
|
|
|
HK$26.80
|
|
|
HK$23.02
|
|
|
HK$22.36
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$21.54
|
|
|
HK$21.70
|
|
|
HK$21.54
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$29.92
-
2,353庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI60L5050B1MXUM
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2,353庫存量
|
|
|
HK$29.92
|
|
|
HK$20.71
|
|
|
HK$17.76
|
|
|
HK$17.18
|
|
|
HK$16.69
|
|
|
HK$14.71
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
- IGI65D1414A3MSXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$61.16
-
2,970庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGI65D1414A3MSXU
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration
|
|
2,970庫存量
|
|
|
HK$61.16
|
|
|
HK$41.35
|
|
|
HK$30.17
|
|
|
HK$29.43
|
|
|
HK$25.73
|
|
|
HK$23.92
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$11.01
-
3,146庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGK048B041SXTSA1
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3,146庫存量
|
|
|
HK$11.01
|
|
|
HK$7.27
|
|
|
HK$6.05
|
|
|
HK$5.81
|
|
|
HK$5.61
|
|
|
HK$5.51
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
HK$24.58
-
2,500庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
863-NTMT100N70GN1TXG
新產品
|
onsemi
|
氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V, 75m, 8x8
|
|
2,500庫存量
|
|
|
HK$24.58
|
|
|
HK$15.86
|
|
|
HK$15.86
|
|
最少： 1
倍數： 1
最大： 25
:
250
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
HK$23.43
-
2,500庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
863-NTMT130N70GN1TXG
新產品
|
onsemi
|
氮化鎵場效應管 GaN FET, 700V,101m, 8x8
|
|
2,500庫存量
|
|
|
HK$23.43
|
|
|
HK$15.04
|
|
|
HK$15.04
|
|
最少： 1
倍數： 1
最大： 25
:
250
|
|
|
|
|
閘極驅動器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
- LMG3411R050RWHT
- Texas Instruments
-
1:
HK$263.45
-
37庫存量
|
Mouser 元件編號
595-LMG3411R050RWHT
|
Texas Instruments
|
閘極驅動器 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
|
|
37庫存量
|
|
|
HK$263.45
|
|
|
HK$213.31
|
|
|
HK$200.73
|
|
|
HK$187.01
|
|
|
HK$175.17
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$175.09
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
250
|
|
|
|
|
閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
HK$103.82
-
110庫存量
|
Mouser 元件編號
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110庫存量
|
|
|
HK$103.82
|
|
|
HK$81.54
|
|
|
HK$76.20
|
|
|
HK$70.03
|
|
|
HK$66.75
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$63.71
|
|
|
HK$62.64
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
250
|
|
|
|
|
閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
- LMG3411R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
HK$118.78
-
140庫存量
|
Mouser 元件編號
595-LMG3411R150RWHT
|
Texas Instruments
|
閘極驅動器 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
|
|
140庫存量
|
|
|
HK$118.78
|
|
|
HK$93.71
|
|
|
HK$87.46
|
|
|
HK$81.30
|
|
|
HK$74.97
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$72.09
|
|
|
HK$72.01
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
250
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
HK$33.21
-
693庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT190R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693庫存量
|
|
|
HK$33.21
|
|
|
HK$21.78
|
|
|
HK$16.19
|
|
|
HK$14.55
|
|
|
HK$13.56
|
|
|
HK$11.43
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
HK$31.73
-
693庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT240R70ILB
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693庫存量
|
|
|
HK$31.73
|
|
|
HK$20.71
|
|
|
HK$15.12
|
|
|
HK$15.12
|
|
最少： 1
倍數： 1
最大： 100
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
HK$23.02
-
652庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-SGT350R70GTK
新產品
|
STMicroelectronics
|
氮化鎵場效應管 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
652庫存量
|
|
|
HK$23.02
|
|
|
HK$11.34
|
|
|
HK$10.19
|
|
|
HK$8.19
|
|
|
HK$6.84
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$7.89
|
|
|
HK$6.25
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
閘極驅動器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG212QTR
- STMicroelectronics
-
1:
HK$24.33
-
702庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
511-STDRIVEG212QTR
新產品
|
STMicroelectronics
|
閘極驅動器 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
702庫存量
|
|
|
HK$24.33
|
|
|
HK$18.25
|
|
|
HK$16.69
|
|
|
HK$14.96
|
|
|
HK$12.74
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$14.22
|
|
|
HK$13.89
|
|
|
HK$13.56
|
|
|
HK$12.49
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3624YREQR
- Texas Instruments
-
1:
HK$59.51
-
1,600庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
595-LMG3624YREQR
新產品
|
Texas Instruments
|
閘極驅動器 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,600庫存量
|
|
|
HK$59.51
|
|
|
HK$42.91
|
|
|
HK$41.26
|
|
|
HK$33.87
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$27.21
|
|
|
HK$32.96
|
|
|
HK$32.06
|
|
|
HK$31.89
|
|
|
HK$27.21
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
- IGD70R270D2SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$17.76
-
2,163庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGD70R270D2SAUMA
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 700 V G5
|
|
2,163庫存量
|
|
|
HK$17.76
|
|
|
HK$11.34
|
|
|
HK$7.67
|
|
|
HK$6.09
|
|
|
HK$5.03
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$5.58
|
|
|
HK$4.52
|
|
|
HK$4.37
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK120B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$5.18
-
2,842庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGK120B041SXTSA1
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
2,842庫存量
|
|
|
HK$5.18
|
|
|
HK$3.30
|
|
|
HK$2.69
|
|
|
HK$2.56
|
|
|
HK$2.34
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$2.54
|
|
|
HK$2.15
|
|
|
HK$2.08
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
4,000
|
|
|
|
|
閘極驅動器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
- LMG3100R017VBER
- Texas Instruments
-
1:
HK$107.60
-
1,915庫存量
-
2,500預期9/10/2026
-
新產品
|
Mouser 元件編號
595-LMG3100R017VBER
新產品
|
Texas Instruments
|
閘極驅動器 100V 1.7mohm GaN FET with integrated dri
|
|
1,915庫存量
2,500預期9/10/2026
|
|
|
HK$107.60
|
|
|
HK$84.26
|
|
|
HK$78.42
|
|
|
HK$73.24
|
|
|
HK$73.24
|
|
最少： 1
倍數： 1
最大： 100
:
2,500
|
|
|
|
|
閘極驅動器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
- EPC23102
- EPC
-
1:
HK$70.45
-
4,042庫存量
-
3,000預期18/8/2026
-
新產品
|
Mouser 元件編號
65-EPC23102
新產品
|
EPC
|
閘極驅動器 Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
|
|
4,042庫存量
3,000預期18/8/2026
|
|
|
HK$70.45
|
|
|
HK$54.66
|
|
|
HK$50.72
|
|
|
HK$46.36
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$39.62
|
|
|
HK$44.31
|
|
|
HK$43.07
|
|
|
HK$41.92
|
|
|
HK$39.62
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
3,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5
- IGT65R025D2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
HK$104.89
-
4,017庫存量
-
2,000預期27/8/2026
-
新產品
|
Mouser 元件編號
726-IGT65R025D2ATMA1
新產品
|
Infineon Technologies
|
氮化鎵場效應管 CoolGaN Transistor 650 V G5
|
|
4,017庫存量
2,000預期27/8/2026
|
|
|
HK$104.89
|
|
|
HK$72.91
|
|
|
HK$58.36
|
|
|
HK$51.13
|
|
|
HK$47.59
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE140-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
HK$38.14
-
2,404庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
771-GANE140-700BBAZ
新產品
|
Nexperia
|
氮化鎵場效應管 GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,404庫存量
|
|
|
HK$38.14
|
|
|
HK$24.99
|
|
|
HK$18.66
|
|
|
HK$15.62
|
|
|
HK$13.81
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$14.80
|
|
|
HK$13.15
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
RF放大器 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
- QPA1724D
- Qorvo
-
受限供貨情況
-
新產品
|
Mouser 元件編號
772-QPA1724D
新產品
|
Qorvo
|
RF放大器 20W, 17.3-21.2 GHz PA-die
|
|
|
|
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
- GANB8R0-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
HK$19.97
-
2,071庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
771-GANB8R0-040CBAZ
新產品
|
Nexperia
|
氮化鎵場效應管 GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
|
|
2,071庫存量
|
|
|
HK$19.97
|
|
|
HK$12.82
|
|
|
HK$8.71
|
|
|
HK$6.95
|
|
|
HK$6.27
|
|
|
檢視
|
|
|
HK$6.40
|
|
|
HK$5.80
|
|
|
HK$5.75
|
|
|
報價
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,500
|
|
|
|
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
- TP65H030G4PQS-TR
- Renesas Electronics
-
1:
HK$87.05
-
321庫存量
-
新產品
|
Mouser 元件編號
227-TP65H030G4PQS-TR
新產品
|
Renesas Electronics
|
氮化鎵場效應管 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
|
|
321庫存量
|
|
|
HK$87.05
|
|
|
HK$61.49
|
|
|
HK$51.29
|
|
|
HK$43.40
|
|
|
HK$39.95
|
|
|
HK$39.87
|
|
最少： 1
倍數： 1
:
2,000
|
|
|
香港
