TO-247-3 半導體

半導體的類型

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結果: 2,157
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 3,599庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 225

Vishay Semiconductors 可控硅 NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248 940庫存量
最少: 1
倍數: 1


Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC 23,257庫存量
最少: 1
倍數: 1

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET 308庫存量
1,200在途量
最少: 1
倍數: 1


Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 2,356庫存量
最少: 1
倍數: 1

Bourns 碳化矽肖特基二極管 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3 2,918庫存量
最少: 1
倍數: 1

Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 8A RDL POWER SIC 886庫存量
最少: 1
倍數: 1

Vishay Semiconductors 碳化矽肖特基二極管 RECT 650V 20A RDL POWER SIC 512庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea 5,921庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽MOSFET 20MW 1200V 865庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 639庫存量
最少: 1
倍數: 1


IXYS MOSFET 30 Amps 600V 4,517庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 雙極結晶體管 - BJT 30A 450V 250W NPN 6,873庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 30

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package 1,098庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi 碳化矽MOSFET SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3 244庫存量
最少: 1
倍數: 1


IXYS MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds 3,458庫存量
最少: 1
倍數: 1

ROHM Semiconductor 碳化矽MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 1,034庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247 827庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi MOSFET 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet 7,650庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 450


IXYS MOSFET MOSFET 1,138庫存量
最少: 1
倍數: 1

IXYS IGBT TO247 1200V 85A XPT 1,352庫存量
最少: 1
倍數: 1


IXYS IGBT XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247 1,403庫存量
最少: 1
倍數: 1


onsemi MOSFET SuperFET2 800V 1,472庫存量
最少: 1
倍數: 1

IXYS IGBT TO268 2500V 2A IGBT 1,050庫存量
30預期29/9/2026
最少: 1
倍數: 1


onsemi MOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm 1,256庫存量
最少: 1
倍數: 1