結果: 678
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 SEMPER
240預期3/2/2027
最少: 1
倍數: 1

Infineon Technologies NOR快閃記憶體 NOR
532在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NOR快閃記憶體 Serial NOR 1.8V 1Gbit x4 I/O BGA-24 +105C
460在途量
最少: 1
倍數: 1

Macronix NOR快閃記憶體 Serial NOR 1.8V 1Gbit x8 I/O BGA-24 Automotive +105C
480在途量
最少: 1
倍數: 1
最大: 100

Infineon Technologies S70FS01GSDSBHM210
Infineon Technologies NOR快閃記憶體 NOR
294預期17/9/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
4,264在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500
ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
4,997預期14/5/2027
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R
2,500預期10/8/2027
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
2,258在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16
23,327在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
950在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
1,275在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
630在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
545在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI NOR快閃記憶體 1Gb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, new die rev
438預期21/9/2026
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 1G 3.3V x8 NAND快閃 Q100
1,316在途量
最少: 1
倍數: 1
: 1,500


ISSI NAND快閃 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray
384在途量
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Automotive Temp - Tray
190預期21/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Alliance Memory DRAM 1GB, 2.5V, 166Mhz 64M x 16 DDR1
6預期31/12/2026
最少: 1
倍數: 1
ISSI IS46TR16640CL-125JBLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最少: 1
倍數: 1

ISSI NAND快閃 1G 3V x8 1-bit NAND快閃
96在途量
最少: 1
倍數: 1

Intelligent Memory DRAM DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

GigaDevice NOR快閃記憶體 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800
GigaDevice NOR快閃記憶體 暫無庫存
最少: 4,800
倍數: 4,800