CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 750V G1 SiC Trench MOSFETs help EV makers create 11kW and 22kW bidirectional onboard chargers with increased efficiency, power density, and reliability. These devices operate reliably at high temperatures (Tj,max +175°C), featuring Infineon’s proprietary. XT die attach technology for best-in-class thermal impedance for an equivalent die size.

結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
271庫存量
HK$196.95
HK$122.89
HK$115.41
HK$114.01
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 89 A 22 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 81 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
240預期13/5/2027
HK$147.80
HK$109.41
HK$81.38
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 60 A 36 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
前置作業時間 52 週
HK$186.76
HK$131.11
HK$103.98
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 75 A 27 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 67 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
規格書
前置作業時間 52 週
HK$94.53
HK$62.80
HK$58.28
HK$54.42
最少： 1
倍數： 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 44 A 52 mOhms - 2 V, + 20 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement