MOSFET模組 – Mouser 香港

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3300V & 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Navitas Semiconductor 3300V and 2300V Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are based on the latest GeneSiC™ trench-assisted planar (TAP) technology and feature flexible packaging formats, including power module, discrete, and known good die (KGD). For high-power density and high-reliability systems, the MOSFETs are integrated into an advanced SiCPAK™ G+ power module package, in half-bridge and full-bridge circuit configurations. The proprietary TAP SiC MOSFET technology offers improved performance, reliability, and avalanche robustness. The TAP architecture performs a multi-step e-field management profile to significantly reduce voltage stress and improve voltage blocking capabilities compared to trench and traditional-planar SiC MOSFETs. Navitas 3300V and 2300V SiC MOSFETs are ideal for AI data centers, grid and energy infrastructure, and industrial electrification, including energy storage, renewable, and megawatt-scale fast-charging applications.

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結果: 8

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封裝/外殼

Vds - 漏-源擊穿電壓

Id - C連續漏極電流

Rds On - 漏-源電阻

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最高工作溫度

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圖像	零件編號	製造商	說明	規格書	供貨情況	定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。	數量	封裝/外殼	Vds - 漏-源擊穿電壓	Id - C連續漏極電流	Rds On - 漏-源電阻	最低工作溫度	最高工作溫度	系列	封裝
MOSFET模組 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H06MT23GB2 GeneSiC Semiconductor 48: HK$2,726.08 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H06MT23GB2 Mouser 元件編號 905-G4H06MT23GB2 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		無庫存前置作業時間 26 週	HK$2,726.08	最少： 48 倍數： 48		2.3 kV	296 A				N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H06MT23GB2-T GeneSiC Semiconductor 48: HK$2,791.84 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H06MT23GB2-T Mouser 元件編號 905-G4H06MT23GB2-T 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		無庫存前置作業時間 26 週	HK$2,791.84	最少： 48 倍數： 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: HK$3,952.83 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H08MT23GB4 Mouser 元件編號 905-G4H08MT23GB4 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	規格書	無庫存前置作業時間 26 週	HK$3,952.83	最少： 48 倍數： 48	SiCPAK G+	2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM G4H08MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: HK$4,018.59 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H08MT23GB4-T Mouser 元件編號 905-G4H08MT23GB4-T 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets	規格書	無庫存前置作業時間 26 週	HK$4,018.59	最少： 48 倍數： 48		2.3 kV		8 mOhms	- 55 C	+ 150 C	N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4 G4H11MT23GB4 GeneSiC Semiconductor 48: HK$2,749.75 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H11MT23GB4 Mouser 元件編號 905-G4H11MT23GB4 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		無庫存前置作業時間 26 週	HK$2,749.75	最少： 48 倍數： 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T G4H11MT23GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: HK$2,815.51 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H11MT23GB4-T Mouser 元件編號 905-G4H11MT23GB4-T 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		無庫存前置作業時間 26 週	HK$2,815.51	最少： 48 倍數： 48		2.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4 G4H22MT33GB4 GeneSiC Semiconductor 48: HK$3,819.18 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H22MT33GB4 Mouser 元件編號 905-G4H22MT33GB4 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		無庫存前置作業時間 26 週	HK$3,819.18	最少： 48 倍數： 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray
MOSFET模組 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T G4H22MT33GB4-T GeneSiC Semiconductor 48: HK$3,884.94 無庫存前置作業時間 26 週新產品	製造商元件編號 G4H22MT33GB4-T Mouser 元件編號 905-G4H22MT33GB4-T 新產品	GeneSiC Semiconductor	MOSFET模組 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 了解更多關於GeneSiC Semiconductor navitas 3300v 2300v sic mosfets		無庫存前置作業時間 26 週	HK$3,884.94	最少： 48 倍數： 48		3.3 kV					N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET	Tray

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