結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,814庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1,923庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2,156庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 89庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 514庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1

Nexperia 氮化鎵場效應管 GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250預期19/10/2026
最少: 1
倍數: 1