EPC2302

EPC
65-EPC2302
EPC2302

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

壽命週期:
Mouser新產品
規格書:
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
EPC
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-7
N-Channel
1 Channel
100 V
133 A
1.8 mOhms
- 4 V, 6 V
2.5 V
23 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
品牌: EPC
配置: Single
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品: Power Transistor
產品類型: GaN FETs
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: 1 N-Channel
每件重量: 31.300 mg
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所選屬性: 0

規格書

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
馬來西亞
封裝原產國:
無資料
擴散國:
無資料
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EPC2302 Enhancement-Mode GaN Power Transistor

Efficient Power Conversion (EPC) EPC2302 Enhancement-Mode Gallium Nitride (GaN) Power Transistor is engineered for high-frequency DC-DC applications to/from 40V to 60V and 48V BLDC motor drives. This eGaN® FET features 1.8mΩ maximum drain-source on resistance RDS(on) and 100V drain-source breakdown voltage (continuous) VDS in a low inductance 3mm x 5mm QFN package. The package has side-wettable flanks and an exposed top for excellent thermal management. The thermal resistance to the case top is ~0.2°C/W, offering excellent thermal behavior and easy cooling. The EPC2302 enhancement-mode power transistor from EPC enables efficient operation in many topologies while improving efficiency and saving space.

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在途量:
11,953
預期6/11/2026
51,000
21,000
預期13/1/2027
30,000
預期25/1/2027
工廠前置作業時間：
25
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
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包裝:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$70.53 HK$70.53
HK$48.00 HK$480.00
HK$35.18 HK$3,518.00
HK$34.61 HK$17,305.00
HK$31.73 HK$31,730.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$29.67 HK$89,010.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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