MRFE6VP61K25HR5

NXP Semiconductors
841-MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5

製造商:

說明:
RF MOSFET晶體管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V

壽命週期:
壽命結束:
計劃停產且製造商將停止供貨。
ECAD模型:
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
NXP
產品類型: RF MOSFET晶體管
RoHS:  
N-Channel
Si
30 A
133 V
1.8 MHz to 600 MHz
24 dB
1.25 kW
+ 150 C
Screw Mount
NI-1230H-4
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: NXP Semiconductors
互導 - 最小值: 28 S
通道數: 2 Channel
Pd - 功率消耗 : 1.333 kW
產品類型: RF MOSFET Transistors
系列: MRFE6VP61K25H
原廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 閘極-源極電壓: + 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 2.7 V
零件號別名: 935314411178
每件重量: 13.155 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
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所選屬性: 0

合規守則
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原產地分類
原產國:
馬來西亞
封裝原產國:
馬來西亞
擴散國:
美國
出貨時,國家可能會有所變更。

MRFE6VP61K25H RF Power LDMOS Transistor

NXP's MRFE6VP61K25H Wideband RF Power LDMOS Transistor is a high ruggedness device that is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace, and radio/land mobile applications. The MRFE6VP61K25H features an unmatched input and output design allowing wide frequency range utilization, between 1.8MHz and 600MHz. This device can be used in either a single-ended or in a push-pull configuration, is suitable for linear application with appropriate biasing, and has integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation.

庫存量: 83

庫存:
83
可立即送貨
在途量:
100
預期1/12/2026
工廠前置作業時間:
53
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
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估計關稅:
包裝:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™
HK$3,580.14 HK$3,580.14
HK$3,094.83 HK$30,948.30
HK$2,973.83 HK$74,345.75
完整捲(訂購多個50)
HK$2,900.59 HK$145,029.50
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。