IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).

結果: 13
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L 900庫存量
帶狀裁切
HK$106.70
HK$60.42
HK$59.60
HK$56.47
捲
HK$56.47
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263 894庫存量
帶狀裁切
HK$64.20
HK$43.48
HK$31.73
捲
HK$28.61
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 890庫存量
帶狀裁切
HK$73.32
HK$40.03
HK$36.83
HK$34.11
捲
HK$34.11
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L 900庫存量
帶狀裁切
HK$88.78
HK$49.32
HK$46.94
HK$43.89
捲
HK$43.89
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L 813庫存量
帶狀裁切
HK$97.98
HK$64.53
HK$58.28
HK$53.02
捲
HK$48.58
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL 2,084庫存量
帶狀裁切
HK$106.70
HK$60.42
HK$59.60
HK$55.73
捲
HK$55.73
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 111 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2,095庫存量
帶狀裁切
HK$72.50
HK$39.54
HK$36.33
HK$35.92
HK$34.03
捲
HK$34.03
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TOLL 2,090庫存量
帶狀裁切
HK$87.71
HK$48.74
HK$46.20
HK$43.73
捲
HK$43.73
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
SMD/SMT TTOLL-8 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 520庫存量
HK$108.67
HK$61.65
HK$57.13
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 650 V 99 A 33 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 454 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET TO247 1200V N CH 20A 542庫存量
帶狀裁切
HK$61.16
HK$32.80
HK$26.80
捲
HK$26.80
最少: 1
倍數: 1
: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 20 A 208 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550庫存量
HK$74.47
HK$40.69
HK$35.26
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 43 A 78 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 64 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV 550庫存量
HK$89.43
HK$61.65
HK$44.80
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 60 A 53 mOhms - 5 V, 20 V 4.5 V 94.7 nC - 55 C + 175 C 249 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L 537庫存量
帶狀裁切
HK$100.04
HK$64.61
HK$59.92
捲
HK$52.28
HK$49.98
最少: 1
倍數: 1
: 450
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 1.2 kV 65 A 52 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement