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(1
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離散半導體
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產品類型
技術
晶體管極性
IGBTs
SiC MOSFETS
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Si
重設
N-Channel
重設
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數量
RoHS
產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
IMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
HK$75.95
884
庫存量
NRND
製造商 元件編號
IMW120R090M1HXKSA1
Mouser 元件編號
726-IMW120R090M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
規格書
884
庫存量
1
HK$75.95
10
HK$40.69
100
HK$37.48
480
HK$35.67
購買
最少:
1
倍數:
1
詳細資料
SiC MOSFETS
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
IKW50N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
1:
HK$52.61
1,430
在途量
製造商 元件編號
IKW50N65ET7XKSA1
Mouser 元件編號
726-IKW50N65ET7XKSA1
Infineon Technologies
IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
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關於Infineon Technologies infineon low loss duopack igbts
規格書
1,430
在途量
檢視日期
在訂貨物航運日期
×
製造商編號:
IKW50N65ET7XKSA1
庫存:
0
在途量:
470
預期10/12/2026
960
預期1/7/2027
工廠前置作業時間:
36 週
關閉
1
HK$52.61
10
HK$29.76
100
HK$23.51
480
HK$22.36
1,200
HK$20.71
購買
最少:
1
倍數:
1
詳細資料
IGBTs
Si
Through Hole
TO-247-3
×
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