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半導體
離散半導體
電晶體
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當你選擇以下一個或多個過濾參數,智能過濾將會立即停用任何未選定的值,以避免出現錯誤。
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半導體
離散半導體
電晶體
MOSFET
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
40 V
100 V
≤
≥
重設
55 A
100 A
≤
≥
重設
1.9 mOhms
5.5 mOhms
≤
≥
重設
2.5 V
4 V
≤
≥
重設
49 nC
76 nC
≤
≥
重設
重置所有
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選擇
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零件編號
製造商
說明
規格書
供貨情況
定價 (HKD)
基於數量按單價篩選表中結果。
數量
RoHS
ECAD模型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
資格
公司名稱
封裝
MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
TK100S04N1L,LQ
Toshiba
1:
HK$30.83
3,603
庫存量
製造商 元件編號
TK100S04N1L,LQ
Mouser 元件編號
757-TK100S04N1LLQ
Toshiba
MOSFET UMOSVIII 40V 2.3m max(VGS=10V) DPAK
了解更多
關於Toshiba umosviii h
規格書
產品評論
3,603
庫存量
帶狀裁切
1
HK$30.83
10
HK$15.54
100
HK$14.06
500
HK$11.51
1,000
HK$11.43
捲
2,000
HK$10.60
可選用MouseReel
購買
最少:
1
倍數:
1
捲
:
2,000
詳細資料
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.9 mOhms
20 V
2.5 V
76 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
TK55S10N1,LQ
Toshiba
1:
HK$32.14
1,517
庫存量
製造商 元件編號
TK55S10N1,LQ
Mouser 元件編號
757-TK55S10N1LQ
Toshiba
MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
了解更多
關於Toshiba umosviii h
規格書
產品評論
1,517
庫存量
帶狀裁切
1
HK$32.14
10
HK$16.28
100
HK$14.71
500
HK$12.08
捲
2,000
HK$11.34
可選用MouseReel
購買
最少:
1
倍數:
1
捲
:
2,000
詳細資料
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
55 A
5.5 mOhms
20 V
4 V
49 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
U-MOSVIII-H
Reel, Cut Tape, MouseReel
×
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