iS20M6R3S1P

Name: iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M6R3S1P
Price: 62.06 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

25-IS20M6R3S1P

製造商編號：

iS20M6R3S1P

製造商：

iDEAL Semiconductor

說明：

MOSFET N-CH 200V 172A TO-220

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

iS20M6R3S1P 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	iDEAL Semiconductor
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	200 V
Id - C連續漏極電流:	172 A
Rds On - 漏-源電阻:	6.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.5 V
Qg - 閘極充電:	105 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	428 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Tube
品牌:	iDEAL Semiconductor
配置:	Single
下降時間:	7.1 ns
互導 - 最小值:	47 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	5.1 ns
原廠包裝數量:	20
子類別:	Transistors
晶體管類型:	N-Channel
標準斷開延遲時間:	48.7 ns
標準開啟延遲時間:	22.4 ns

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

iS20M6R3S1P 規格書 (PDF)

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package. This power MOSFET minimizes heat dissipation at both full and partial loads and features high Short-Circuit Withstand Capability (SCWC). The iS20M6R3S1P power MOSFET offers low switching losses, switching charge (Q_SW), and capacitive stored energy (E_OSS). This power MOSFET is fully UIS‑tested and is RoHS compliant. Typical applications include motor control, boost converters, SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.