IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

結果: 10
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 產品 配置 集電極-發射極最大電壓VCEO 集電極-發射極飽和電壓 連續集電極電流在25 C 柵射極漏電電流 最低工作溫度 最高工作溫度 技術 封裝
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 450 A dual IGBT module 17庫存量
HK$1,154.83
HK$1,113.81
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module 6庫存量
HK$2,262.47
HK$1,809.88
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 600 A dual IGBT module 29庫存量
HK$1,435.38
HK$1,418.20
最少: 1
倍數: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module 51庫存量
HK$1,791.30
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 900 A dual IGBT module 11庫存量
50預期3/11/2026
HK$2,102.68
HK$1,698.50
最少: 1
倍數: 1
否
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 300 A dual IGBT module 5庫存量
20在途量
HK$1,031.77
HK$974.56
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 2300 V, 1800 A dual IGBT module
此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
無庫存前置作業時間 39 週
HK$10,653.12
最少: 1
倍數: 1
Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 PP IHM I
此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
無庫存前置作業時間 39 週
HK$10,958.90
最少: 3
倍數: 3
Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1200 V, 750 A dual IGBT module 無庫存前置作業時間 24 週
HK$1,531.47
最少: 10
倍數: 10
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT 模組 1700 V, 750 A dual IGBT module 無庫存前置作業時間 24 週
HK$1,935.73
最少: 1
倍數: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray