結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,463庫存量
1,000在途量
帶狀裁切
HK$317.62
HK$259.18
HK$229.01
HK$227.69
捲
HK$213.80
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,975庫存量
帶狀裁切
HK$228.35
HK$157.74
HK$157.33
HK$148.70
捲
HK$138.75
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 235庫存量
帶狀裁切
HK$146.40
HK$111.55
HK$92.97
HK$82.86
捲
HK$77.35
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,589庫存量
帶狀裁切
HK$111.22
HK$67.90
HK$66.58
捲
HK$63.38
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3,335庫存量
2,000在途量
帶狀裁切
HK$43.32
HK$22.52
HK$20.47
HK$18.08
捲
HK$18.00
最少: 1
倍數: 1
最大: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 79庫存量
1,000預期17/12/2026
帶狀裁切
HK$93.79
HK$66.34
HK$55.24
HK$49.24
捲
HK$46.03
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 250庫存量
1,000預期19/11/2026
帶狀裁切
HK$77.10
HK$52.69
HK$43.40
HK$38.72
捲
HK$36.25
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 227庫存量
2,000預期3/12/2026
帶狀裁切
HK$67.49
HK$47.51
HK$38.47
HK$34.20
捲
HK$30.25
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 158庫存量
4,000在途量
帶狀裁切
HK$53.10
HK$34.77
HK$25.65
HK$22.77
捲
HK$20.14
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1,999預期19/11/2026
帶狀裁切
HK$167.03
HK$124.78
HK$107.93
HK$102.17
捲
HK$95.43
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000預期10/12/2026
帶狀裁切
HK$58.69
HK$39.29
HK$31.56
HK$28.03
捲
HK$24.82
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement