結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SIC_DISCRETE 712庫存量
HK$180.51
HK$134.23
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1,701庫存量
HK$120.18
HK$72.25
HK$71.35
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 34 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 62 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 298庫存量
HK$85.57
HK$49.24
HK$45.62
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 64 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 33 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24,949在途量
帶狀裁切
HK$49.73
HK$32.55
HK$24.33
HK$20.39
捲
HK$17.67
最少: 1
倍數: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
1,660在途量
HK$152.40
HK$116.07
HK$96.75
HK$86.15
HK$80.47
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 40 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 63 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
978在途量
HK$68.06
HK$42.00
HK$38.80
HK$30.83
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 19 A 182 mOhms - 7 V, + 23 V 3.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies 碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 無庫存前置作業時間 52 週
HK$72.01
HK$42.33
HK$35.10
HK$34.94
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 28 A 94 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 22 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement CoolSiC