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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 492.54 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

772-QPD0020TR7

製造商編號：

QPD0020TR7

製造商：

Qorvo

說明：

氮化鎵場效應管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

規格書:

QPD0020TR7 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Qorvo
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	QFN-20
品牌:	Qorvo
配置:	Single
開發套件:	QPD0020EVB02
增益:	16.7 dB
最大工作頻率:	2.69 GHz
最低工作頻率:	2.62 GHz
輸出功率:	34.7 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
產品類型:	GaN FETs
系列:	QPD0020
原廠包裝數量:	500
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	HEMT
零件號別名:	QPD0020

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規格書

QPD0020TR7 規格書 (PDF)

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合規守則

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 美國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

出貨時，國家可能會有所變更。

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$492.54	HK$492.54
	HK$406.81	HK$4,068.10
	HK$385.44	HK$9,636.00
	HK$380.59	HK$38,059.00
	HK$380.50	HK$95,125.00
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QPD0020TR7

製造商： Qorvo

說明： 氮化鎵場效應管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

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QPD0020 GaN RF Power Transistors

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