TKx矽N通道MOSFET

TKx矽N通道MOSFET提供U-MOSX-H和DTMOSVI型號,具備卓越的效能特性。這些MOSFET的設計具有快速的反向恢復時間,透過減少關斷和導通狀態之間的延遲,提高了高速開關應用中的效率。低漏-源導通電阻 [RDS(on)] 可將功耗降至最低,並改善了散熱管理,使其成為需要處理高電流且能耗低的應用中的理想選擇。            

結果: 20
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 公司名稱 封裝
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 50庫存量
HK$35.51
HK$23.26
HK$17.34
HK$14.55
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ 2,000庫存量
帶狀裁切
HK$64.44
HK$43.07
HK$34.61
HK$30.74
HK$27.29
捲
HK$27.29
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ 1,961庫存量
帶狀裁切
HK$41.35
HK$27.13
HK$20.22
HK$16.93
HK$15.70
捲
HK$14.71
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ 53庫存量
HK$65.10
HK$43.57
HK$35.02
HK$31.15
HK$27.62
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1,960庫存量
帶狀裁切
HK$48.50
HK$31.73
HK$23.34
HK$20.80
HK$18.41
捲
HK$18.41
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ 1,986庫存量
帶狀裁切
HK$35.59
HK$23.26
HK$17.34
HK$14.55
HK$13.48
捲
HK$12.66
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ 1,974庫存量
帶狀裁切
HK$31.81
HK$20.80
HK$15.12
HK$12.66
HK$11.75
捲
HK$11.01
最少: 1
倍數: 1
: 2,000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 750庫存量
HK$53.43
HK$29.26
HK$26.80
HK$25.15
HK$22.36
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 335庫存量
HK$46.20
HK$26.96
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 294庫存量
HK$36.50
HK$18.66
HK$16.85
HK$13.56
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 187庫存量
HK$30.83
HK$20.06
HK$14.06
HK$11.75
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH 85庫存量
60預期2/12/2026
HK$84.50
HK$45.70
HK$42.17
HK$41.59
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ 143庫存量
HK$31.81
HK$20.80
HK$15.12
HK$12.66
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 350庫存量
HK$36.09
HK$18.50
HK$16.69
HK$13.65
HK$13.32
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 224庫存量
HK$32.06
HK$16.44
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ 9庫存量
100預期15/1/2027
HK$55.24
HK$28.85
HK$26.88
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ 20庫存量
HK$50.22
HK$32.88
HK$24.25
HK$21.54
HK$19.07
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel 8庫存量
HK$70.94
HK$38.55
HK$35.35
HK$32.96
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS 9庫存量
HK$78.58
HK$54.75
最少: 1
倍數: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ 無庫存前置作業時間 16 週
捲
HK$21.70
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel