UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

結果: 23
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 資格 公司名稱
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 3,275庫存量
HK$162.76
HK$97.41
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 43 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 639庫存量
HK$103.08
HK$57.95
HK$53.68
HK$51.46
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 227庫存量
HK$241.50
HK$180.26
HK$161.52
HK$161.03
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 902庫存量
HK$210.93
HK$135.63
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 5 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-3 1,166庫存量
HK$160.37
HK$94.37
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 54 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-4 623庫存量
HK$242.57
HK$161.03
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO263-7 357庫存量
帶狀裁切
HK$104.97
HK$60.25
HK$55.49
HK$52.53
HK$52.53
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 583庫存量
HK$106.04
HK$59.51
HK$55.16
HK$53.10
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-3 1,142庫存量
HK$173.94
HK$104.64
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 466庫存量
HK$98.64
HK$56.80
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 1,251庫存量
帶狀裁切
HK$96.91
HK$55.81
HK$50.72
HK$48.83
HK$47.35
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 199庫存量
帶狀裁切
HK$110.81
HK$64.36
HK$60.01
HK$56.80
HK$56.80
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 676庫存量
800預期23/11/2026
帶狀裁切
HK$76.04
HK$41.68
HK$38.31
HK$36.17
HK$36.17
最少: 1
倍數: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 40庫存量
1,600在途量
帶狀裁切
HK$95.68
HK$67.65
HK$50.22
HK$47.51
HK$47.51
最少: 1
倍數: 1
最大: 800
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7 615庫存量
帶狀裁切
HK$158.07
HK$99.13
HK$93.87
HK$93.87
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 639庫存量
HK$174.10
HK$106.20
最少: 1
倍數: 1
最大: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3 477庫存量
600預期16/11/2026
HK$97.32
HK$54.91
HK$50.72
HK$48.17
最少: 1
倍數: 1
最大: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 62庫存量
HK$114.75
HK$64.12
HK$62.06
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1,200預期19/2/2027
HK$222.60
HK$178.21
HK$154.13
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1,000預期21/12/2026
HK$160.70
HK$95.85
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300預期8/3/2027
HK$90.83
HK$49.48
HK$45.70
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 前置作業時間 32 週
HK$222.02
HK$136.45
最少: 1
倍數: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi 碳化矽MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 無庫存前置作業時間 53 週
帶狀裁切
HK$207.72
HK$140.48
HK$140.48
最少: 1
倍數: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET