18 bit 半導體

半導體的類型

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結果: 36
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1

Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 50
倍數: 1
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 50
倍數: 1
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 104
倍數: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 104
倍數: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 104
倍數: 104

ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS 無庫存前置作業時間 52 週
最少: 104
倍數: 104