NCD5700DR2G

onsemi
863-NCD5700DR2G
NCD5700DR2G

製造商：

說明：
閘極驅動器 HIGH CURRENT IGBT GATE DR

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
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HK$-.--
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完整捲（訂購多個2500）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$29.10 HK$29.10
HK$21.87 HK$218.70
HK$20.14 HK$503.50
HK$18.08 HK$1,808.00
HK$16.44 HK$4,110.00
HK$15.70 HK$7,850.00
HK$15.21 HK$15,210.00
完整捲（訂購多個2500）
HK$14.88 HK$37,200.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: 閘極驅動器
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
SMD/SMT
SOIC-16
1 Driver
1 Output
7.8 A
0 V
5 V
Inverting, Non-Inverting
18 ns
19 ns
- 40 C
+ 125 C
NCD5700
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: onsemi
特徵: DESAT Protection, Tight UVLO Thresholds
最長斷開延遲時間: 63 ns
最長接通延遲時間: 56 ns
運作供電電流: 900 uA
輸出電壓: 800 mV, 14.1 V
Pd - 功率消耗 : 900 mW
產品類型: Gate Drivers
關機: Shutdown
原廠包裝數量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。

能源基礎架構解決方案

onsemi能源基礎架構解決方案可應付快速發展的發電、配電和儲電等市場的現況，滿足政府政策所設定的目標及不斷提高的用電量需求。提高效率目標，減少二氧化碳排放量，將重心放在再生能源和潔淨能源，是目前能源基礎架構演進的關鍵要素。onsemi提供完整的節能解決方案產品組合，可滿足高功率應用不斷提升的需求，其產品包含碳化矽 (SiC) 二極體、智慧電源模組和電流感測放大器。  

NCD5700和NCD5701 IGBT閘極驅動器

安森美 (onsemi) NCD5700和NCD5701絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 閘極驅動器為高電流高效能裝置，適合太陽能逆變器、馬達控制和不斷電系統 (UPS) 等高功率應用。這些閘極驅動器具有高整合度，可省下許多外部元件，提供具成本效益的解決方案。NCD5700和NCD5701閘極驅動器內含精準的欠壓鎖定 (UVLO)、去飽和保護 (DESAT) 和低態動作FAULT輸出等裝置保護功能。

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