Bulk SRAM

結果: 9
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 存儲容量 組織 存取時間 最高時鐘頻率 接口類型 電源電壓 - 最大值 電源電壓 - 最小值 電源電流 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 安裝風格 封裝/外殼 封裝
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 419庫存量
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 353庫存量
最少: 1
倍數: 1

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,2.2v 3.6v, 48 Pin TSOP I, RoHS 96庫存量
最少: 1
倍數: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC, 256K x 16, 20ns, 1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 480
倍數: 480

4 Mbit 256 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk
ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 480
倍數: 480

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Bulk

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS 無庫存前置作業時間 16 週
最少: 135
倍數: 135

8 Mbit 512 k x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Bulk
ISSI SRAM 8Mb 256Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 72
倍數: 72

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 280 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Bulk
ISSI SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Bulk
ISSI IS61QDB41M18A-250M3LI
ISSI SRAM 18Mb, QUAD (Burst of 4), Sync SRAM, 1M x 18, 165 Ball FBGA (15x17 mm), RoHS 無庫存前置作業時間 30 週
最少: 105
倍數: 105

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