RLDRAM3 DRAM

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
ISSI IS49RL36160A-107EBLI
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 94庫存量
最少: 1
倍數: 1
最大: 200

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.2 GHz FBGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp 暫無庫存
最少: 119
倍數: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS 暫無庫存
最少: 119
倍數: 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS 暫無庫存
最少: 119
倍數: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 暫無庫存
最少: 119
倍數: 119

RLDRAM3 576 Mbit 18 bit 1.075 GHz BGA-168 32 M x 18 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL18320 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp 暫無庫存
最少: 119
倍數: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 1.28 V 1.42 V - 40 C + 95 C IS49RL36160 Tray
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x36, Common I/O, 1066Mhz, tRC=8ns, RoHS 暫無庫存
最少: 119
倍數: 119

RLDRAM3 576 Mbit 36 bit 1.075 GHz BGA-168 16 M x 36 8 ns 1.28 V 1.42 V 0 C + 95 C IS49RL36160 Tray