64 Mbit DRAM

結果: 174
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 類型 存儲容量 數據匯流排寬度 最高時鐘頻率 封裝/外殼 組織 存取時間 電源電壓 - 最小值 電源電壓 - 最大值 最低工作溫度 最高工作溫度 系列 封裝
Winbond W9864G6KT-6
Winbond DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm 199庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TFBGA-54 4 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Tray

AP Memory DRAM 64Mb QSPI PSRAM Sync Serial x1/x4 SDR
23,660預期21/12/2026
最少: 1
倍數: 1
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 4 bit / 1 bit 133 MHz SOP-8 8 M x 8 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel, Cut Tape, MouseReel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
14,300預期21/12/2026
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 5.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI IS42VM32200M-75BLI
ISSI DRAM 64M, 1.8V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS 22庫存量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM Mobile 64 Mbit 32 bit 133 MHz 2 M x 32 8 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS42VM32200M
Infineon Technologies DRAM SPCM
313在途量
最少: 1
倍數: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz FBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS
8,716在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
4,135在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
7,498在途量
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
14,293預期15/3/2027
最少: 1
倍數: 1
: 2,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
540在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
1,362在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
701在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
2,589預期16/10/2026
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
1,400預期2/9/2026
最少: 1
倍數: 1
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS
581在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108在途量
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
200預期19/3/2027
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 104 MHz SOIC-8 8 M x 8 7 ns 1.65 V 1.95 V - 40 C + 85 C
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 無庫存前置作業時間 8 週
最少: 1
倍數: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6432SD Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 4 bit / 1 bit 144 MHz WLCSP-8 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 無庫存前置作業時間 20 週
最少: 5,000
倍數: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz WLCSP-13 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ext. Temp., BGA24 前置作業時間 20 週
最少: 1
倍數: 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray
Infineon Technologies S27KL0643GABHV020
Infineon Technologies DRAM SPCM 無庫存前置作業時間 26 週
最少: 3,380
倍數: 3,380

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz 8 M x 8 35 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 無庫存前置作業時間 10 週
最少: 240
倍數: 240

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S32200L Tray

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 暫無庫存
最少: 2,500
倍數: 2,500

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V