18 bit 記憶體 IC

記憶體 IC的類型
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結果: 87
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
安裝風格
封裝/外殼
存儲容量
Texas Instruments FIFO 512 x 18 Synchronous FIFO Memory
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 160
倍數： 160

FIFO SMD/SMT TQFP-64 9 kbit
Texas Instruments FIFO 4096 x 18 Synch FIFO Memory
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1

FIFO SMD/SMT TQFP-64 72 kbit
Renesas Electronics FIFO 256x18 3.3V SYNC FIFO
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 270
倍數： 90

FIFO SMD/SMT TQFP-64 4.608 kbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 16M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 288 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
GSI Technology DRAM 32M x 18 (288Meg) LLDRAM II Common I/O
規格書
暫無庫存
最少： 1
倍數： 1

DRAM SMD/SMT uBGA-144 576 Mbit
Renesas Electronics FIFO 1Mx9 / 512Kx18 FIFO 2.5V TERASYNC
規格書
前置作業時間 18 週
最少： 1
倍數： 1
否
FIFO SMD/SMT PBGA-240 9 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 50
倍數： 1
否
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
Renesas Electronics FIFO 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II FIFO
規格書
無庫存前置作業時間 18 週
最少： 50
倍數： 1
否
FIFO SMD/SMT CABGA-100 4 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, Ind. Temp, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 288 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 533MHz, tRC=15ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS
規格書
無庫存前置作業時間 28 週
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT FBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM2 Memory, 576Mbit, x18, Separate I/O, 300MHz, RoHS, wBGA
規格書
暫無庫存
最少： 104
倍數： 104

DRAM SMD/SMT WBGA-144 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=8ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 800Mhz, tRC=10ns, RoHS
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 1066Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit
ISSI DRAM RLDRAM3 Memory, 576Mbit, x18, Common I/O, 933Mhz, tRC=10ns, RoHS, Ind. Temp
規格書
暫無庫存
最少： 119
倍數： 119

DRAM SMD/SMT BGA-168 576 Mbit