結果: 4
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
規格書
290庫存量
100預期11/5/2026
最少： 1
倍數： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 46 A 47 mOhms 21 V 4.8 V 79 nC - 40 C + 150 C 143.7 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
規格書
795庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 104 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
規格書
760庫存量
最少： 1
倍數： 1
捲: 800

SMD/SMT TO-263-7L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 79 A 39 mOhms - 5 V, + 20 V 4.5 V 135 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement
IXYS 碳化矽MOSFET SiC MOSFET in ISO247-4L
規格書
400在途量
最少： 1
倍數： 1

Through Hole ISO247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 85 A 23.4 mOhms 21 V 4.8 V 155 nC - 40 C + 150 C 223.2 W Enhancement