SemiQ 碳化矽MOSFET

結果: 12
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式
SemiQ 碳化矽MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET 30庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 119 A 18 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 216 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET 25庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 112 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 115庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 280 A 25 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 144庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 140 A 52 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 108 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 90庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 70 A 100 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 53 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L 13庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L 2庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 37 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 118 nC - 55 C + 175 C 322 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET 99庫存量
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 80 mOhms - 5 V, + 20 V 2.8 V 58 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
150預期19/3/2026
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 77 mOhms - 10 V, + 25 V 4 V 61 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial 無庫存前置作業時間 12 週
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 83 A 36 mOhms - 10 V, + 25 V 2.7 V 233 nC - 55 C + 175 C 564 W Enhancement
SemiQ 碳化矽MOSFET Gen3 1200V, 16mohm SiC MOSFET, TO-247-4L 無庫存前置作業時間 18 週
最少: 1
倍數: 1

Through Hole TO-247-4L N-Channel 1 Channel 1.2 kV 350 A 23 mOhms - 4.5 V, + 18 V 4 V 260 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement