References MOSFET

結果: 7
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
10,000預期20/2/2026
最少: 1
倍數: 1
: 10,000

Si SMD/SMT X2-DFN0806-3 N-Channel 1 Channel 20 V 520 uA 990 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 410 pC - 55 C + 150 C 410 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 150 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 152.7 nC - 55 C + 175 C 2.13 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 10,000
倍數: 10,000
: 10,000
Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel 1 Channel 30 V 14.1 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement Reel

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 無庫存前置作業時間 24 週
最少: 2,500
倍數: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 2 Channel 40 V 110 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.98 W Enhancement Reel