IMW65R007M2HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMW65R007M2HXKSA
IMW65R007M2HXKSA1

製造商:

說明:
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$233.04 HK$233.04
HK$177.80 HK$1,778.00
HK$173.77 HK$17,377.00
HK$173.69 HK$83,371.20
2,640 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
171 A
8.5 mOhms
- 7 V, 23 V
5.6 V
179 nC
- 55 C
+ 175 C
625 W
Enhancement
CoolSiC
Tube
品牌: Infineon Technologies
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: AT
下降時間: 21 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 30 ns
系列: 650V G2
原廠包裝數量: 240
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 55 ns
標準開啟延遲時間: 89 ns
零件號別名: IMW65R007M2H
找到產品:
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET

英飛凌CoolSiC™ G2碳化矽MOSFET可在所有常見功率變換應用(AC-DC、DC-DC和DC-AC)中達到最高品質標準的同時,實現優異的SiC性能水準。SiC MOSFET可為光電變換器、儲能系統、電動車充電、電源供應器和馬達驅動器提供比Si替代品更高的性能。英飛凌CoolSiC G2 MOSFET進一步推進了獨特的XT互連技術 (例如TO-263-7和TO-247-4分立式外殼),克服了在保持散熱能力的同時提高半導體晶片性能的共同挑戰。G2的散熱能力提高了12%,將晶片的性能提升至SiC性能的強勁水平。