IXYS IXTH30N60 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝

IXYS MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
規格書
307庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 82 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement PolarHV Tube

IXYS MOSFET 30 Amps 600V
規格書
11庫存量
4,770在途量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube