FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Name: Infineon FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS17MR12W2M1HB11
Price: 1164.53 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

726-FS17MR12W2M1HB11

製造商編號：

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

製造商：

Infineon Technologies

說明：

MOSFET模組 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC

壽命週期:

新產品:

該製造商的新產品。

規格書:

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$1,164.53	HK$1,164.53
	HK$983.36	HK$9,833.60
	HK$890.31	HK$93,482.55

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	MOSFET模組
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Press Fit
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	40 A
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5.15 V
Pd - 功率消耗 :	20 mW
系列:	EasyPACK 2B
封裝:	Tray
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Hex
下降時間:	12 ns
高度:	1.4 mm
If - 順向電流:	16 A
長度:	56.7 mm
產品:	MOSFET Modules
產品類型:	MOSFET Modules
上升時間:	29 ns
原廠包裝數量:	15
子類別:	Discrete and Power Modules
公司名稱:	CoolSiC
標準斷開延遲時間:	39 ns
標準開啟延遲時間:	32 ns
Vf - 順向電壓:	4.2 V
寬度:	48 mm
零件號別名:	FS17MR12W2M1H_B11_A SP005958141

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規格書

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 規格書 (PDF)

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ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™ M1H Modules

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ M1H Modules offer EV Charging and other inverter designers opportunities to achieve never-before-seen efficiency and power density levels.

1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。