GS66502B-TR

Name: Infineon GS66502B-TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 499-GS66502B-TR
Price: 103.82 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

499-GS66502B-TR

製造商編號：

GS66502B-TR

製造商：

Infineon Technologies

說明：

氮化鎵場效應管 650V, 7.5A, Bottom-Side Cooled E-mode GaN Transistor

規格書:

GS66502B-TR 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$103.82	HK$103.82
	HK$84.50	HK$845.00
	HK$70.45	HK$7,045.00
	HK$62.80	HK$31,400.00
	HK$60.25	HK$60,250.00
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	HK$51.13	HK$153,390.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Infineon
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	HEMT
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	7.5 A
Rds On - 漏-源電阻:	260 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.6 V
Qg - 閘極充電:	1.6 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	GaNPX
品牌:	Infineon Technologies
配置:	Single
開發套件:	GS665MB-EVB
最大工作頻率:	10 MHz
最低工作頻率:	0 Hz
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
系列:	GS665xx
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	E-Mode

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規格書

GS66502B-TR 規格書 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

GS665xx Enhancement-Mode Silicon Power Transistors

Infineon Technologies GS665xx Enhancement-Mode High Electron Mobility Transistors (E-HEMT) feature high current, high voltage breakdown, and high switching frequency. These power transistors include Island Technology cell layout with high-current die and high yield, and GaNPX^® small packaging enables low inductance and low thermal resistance. These power transistors offer very low junction-to-case thermal resistance for high-power applications. The GS665xx enhancement-mode silicon power transistors are available as bottom-sided or top-sided cooled transistors. These power transistors provide ultra-low FOM die, reverse current capability, and zero reverse recovery loss.