1200V CoolSiC™模組

英飛凌科技1200V CoolSiC™模組為具備出色效率與系統彈性等級的碳化矽 (SiC) MOSFET模組。這些模組採用近閾值電路 (NTC) 和PressFIT接點技術。此CoolSiC模組具有高電流密度、同級最佳的切換和傳導損耗以及低電感設計的特點，可提供高頻運作、更高的功率密度，以及經過最佳化的開發週期時間與成本。

電晶體的類型
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 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS 產品類型
技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
Infineon Technologies MOSFET模組 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
規格書
25庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT
Infineon Technologies IGBT 模組 EconoPACK 3 module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode and NTC
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

IGBT Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
15庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
18庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
28庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
22庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
14庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC
規格書
30庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules Si Press Fit N-Channel
Infineon Technologies MOSFET模組 EconoDUAL 3 CoolSiC MOSFET 1200 V module
規格書
16庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
19庫存量
最少： 1
倍數： 1
MOSFET Modules SiC Press Fit Module N-Channel
Infineon Technologies MOSFET模組 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
規格書
16庫存量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules Si SMD/SMT

Infineon Technologies MOSFET模組 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
規格書
36庫存量
最少： 1
倍數： 1
MOSFET Modules Si
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY PACK SIC
規格書
70庫存量
48預期14/7/2026
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies MOSFET模組 EASY
規格書
30在途量
最少： 1
倍數： 1

MOSFET Modules SiC Press Fit
Infineon Technologies IGBT 模組 HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
規格書
無庫存前置作業時間 44 週
最少： 12
倍數： 12

IGBT Modules SiC, Si