RGT20TM65DGC9

ROHM Semiconductor
755-RGT20TM65DGC9
RGT20TM65DGC9

製造商：

說明：
IGBT 650V 10A IGBT Field Stop Trench

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$20.22 HK$20.22
HK$14.71 HK$147.10
HK$13.07 HK$1,307.00
HK$10.77 HK$5,385.00
1,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220NFM-3
Through Hole
Single
650 V
2.1 V
30 V
10 A
25 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
品牌: ROHM Semiconductor
柵射極漏電電流: 200 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
零件號別名: RGT20TM65D
找到產品:
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所選屬性: 0

規格書

PCN

Specification Sheets

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IGBT Intelligent Power Modules

ROHM Semiconductor IGBT Intelligent Power Modules (IPMs) Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBT) optimized for both high-speed and low-speed switching drives. These IPMs are comprised of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, and flywheel diodes. The modules offer a collector current ranging from 3A to 80A and voltage ranging from 600V to 1800V. The ROHM Semiconductor IGBT IPMs feature 3-phase DC/AC inverter, low side IGBT open-emitter, high side IGBT gate driver, low side IGBT gate driver, and fault signal. Typical applications include low-speed and high-speed switching drives.

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