NVVR26A120M1WSB

onsemi
863-NVVR26A120M1WSB
NVVR26A120M1WSB

製造商：

說明：
MOSFET模組 SIC A1HPM 1200 V

壽命週期:
新產品:
該製造商的新產品。
規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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HK$4,142.96 HK$4,142.96
HK$3,688.48 HK$44,261.76

商品屬性 屬性值 選擇屬性
onsemi
產品類型: MOSFET模組
RoHS:  
SiC
Screw Mount
AHPM-15
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
400 A
- 10 V, + 25 V
3.2 V
- 40 C
+ 175 C
1 kW
Tube
品牌: onsemi
配置: Half-Bridge
下降時間: 51 ns
高度: 5 mm
長度: 55.2 mm
產品類型: MOSFET Modules
上升時間: 59 ns
原廠包裝數量: 6
子類別: Discrete and Power Modules
類型: Power Modules
標準斷開延遲時間: 220 ns
標準開啟延遲時間: 125 ns
寬度: 55.2 mm
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所選屬性: 0

規格書

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVVR26A120M1WSx Silicon Carbide (SiC) Modules are part of the VE-Trac™ B2 SiC highly integrated power module family for EV and HEV traction inverter applications. These SiC modules integrate a 1200V drain-source voltage in a half-bridge configuration and sintering technology for die attachment to enhance reliability and thermal performance. The NVVR26A120M1WSx modules feature an ultra-low RDS(on), an aluminum nitride isolator, and ultra-low 7.1nH stray inductance. These SiC modules operate within a -40°C to +175°C temperature range and come in AHPM-15 packages. The NVVR26A120M1WSx modules are automotive AQG324 compliant and UL 94V-0 flammability rated.

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