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NVHL080N120SC1

Name: onsemi NVHL080N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL080N120SC1
Price: 124.12 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

863-NVHL080N120SC1

製造商編號：

NVHL080N120SC1

製造商：

onsemi

說明：

碳化矽MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A

壽命週期:

NRND:

不建議用於新設計。

規格書:

NVHL080N120SC1 規格書

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$124.12	HK$124.12
	HK$93.63	HK$936.30
	HK$74.56	HK$8,947.20
	HK$73.16	HK$74,623.20

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	onsemi
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Id - C連續漏極電流:	31 A
Rds On - 漏-源電阻:	110 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.3 V
Qg - 閘極充電:	56 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	178 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	EliteSiC
品牌:	onsemi
配置:	Single
下降時間:	10 ns
互導 - 最小值:	13 S
封裝:	Tube
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	20 ns
系列:	NVHL080N120SC1
原廠包裝數量:	30
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	22 ns
標準開啟延遲時間:	13 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

NVHL080N120SC1 規格書

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M1 EliteSiC MOSFETs

onsemi M1 EliteSiC MOSFETs feature voltage ratings of 1200V and 1700V. The onsemi M1 MOSFETs are designed to meet the requirements of high-power applications that demand reliability and efficiency. The M1 EliteSiC MOSFETs are available in various package options, including D2PAK7, TO-247-3LD, TO-247-4LD, and bare die.

寬能隙碳化矽裝置

與矽裝置相比，安森美(onsemi)寬能隙 (WBG) 碳化矽 (SiC) 裝置採用全新技術，可提供出色的開關性能及更高的可靠性。該系統的優勢包括：提高效率、快速工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸和成本。onsemi的碳化矽產品系列包括650V和1200V二極體、650V和1200V IGBT以及碳化矽二極體功率整合模組 (PIM)、1200V MOSFET和碳化矽MOSFET驅動器以及符合AEC-Q100標準的裝置。

將閘極驅動器與EliteSiC MOSFET搭配使用

電動車充電、能源儲存、不斷電系統 (UPS) 和太陽能等能源基礎設施應用正在將系統功率推至數百千瓦，甚至兆瓦等級。這些高功率應用採用半橋、全橋和三相拓撲，為逆變器和BLDC提供多達6個開關的工作週期。視功率等級和開關速度而定，系統設計人員需要包括矽、IGBT和SiC等各種不同的開關技術來滿足其應用要求。

1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs

onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) N-Channel MOSFETs are 1200V, 80mΩ MOSFETs that provide superior switching performance and high reliability. These MOSFETs offer low ON resistance and come in compact chip sizes, ensuring low capacitance and gate charge. The EliteSiC N-Channel MOSFETs feature high efficiency, fast operation frequency, high-speed switching, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. These MOSFETs come in TO247-3L/TO247-3LD packages. The NVHL080N120SC1 and NVHL080N120SC1A MOSFETs are qualified for automotive according to AEC-Q101 grade certification.

1200V SiC MOSFET

安森美 (onsemi) 1200V SiC MOSFET採用全新技術，與矽裝置相比，可提供出色的開關性能和更高的可靠性。這些MOSFET可提供低導通電阻，以確保低電容和閘極電荷。1200V SiC MOSFET可實現如下系統優勢：提高系統效率、加快工作頻率、提高功率密度、降低EMI以及減小系統尺寸。這些MOSFET具有阻斷電壓、高速開關、低電容的特點，並可在-55°C至175°C溫度範圍運行。1200 V SiC MOSFET可提供汽車級（符合AEC-Q101）部件，並符合RoHS規定。這些MOSFET最適用於升壓逆變器、充電站、直流-直流逆變器、直流-直流轉換器、車載充電器 (OBC)、電機控制、工業電源及伺服器電源。