Vishay IRFBF 系列 MOSFET

結果: 11
選擇 圖像 零件編號 製造商 說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。 數量 RoHS ECAD模型 技術 安裝風格 封裝/外殼 晶體管極性 通道數 Vds - 漏-源擊穿電壓 Id - C連續漏極電流 Rds On - 漏-源電阻 Vgs - 閘極-源極電壓 Vgs th - 門源門限電壓 Qg - 閘極充電 最低工作溫度 最高工作溫度 Pd - 功率消耗 通道模式 封裝
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET 9,533庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET 2,805庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp 1,478庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET 6庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp 337庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET 848庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 900 V 1.7 A 8 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 900V 1.7 Amp 285庫存量
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 900V 3.6A N-CH MOSFET 374庫存量
最少: 1
倍數: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 3.6 A 3.7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V 暫無庫存
最少: 800
倍數: 800

Si
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 900V 暫無庫存
最少: 1,000
倍數: 1,000

Si Tube
Vishay / BC Components MOSFET TO263 900V 3.6A N-CH MOSFET 暫無庫存
最少: 1
倍數: 1
: 800

Si Reel, Cut Tape