STMicroelectronics STU6N65M2 系列 MOSFET

結果: 2
選擇 圖像 零件編號
 製造商
說明 規格書 供貨情況 定價 (HKD) 基於數量按單價篩選表中結果。
數量 RoHS ECAD模型 技術
安裝風格
封裝/外殼
晶體管極性
通道數
Vds - 漏-源擊穿電壓
Id - C連續漏極電流
Rds On - 漏-源電阻
Vgs - 閘極-源極電壓
Vgs th - 門源門限電壓
Qg - 閘極充電
最低工作溫度
最高工作溫度
Pd - 功率消耗
通道模式
公司名稱
封裝
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
規格書
產品評論
45庫存量
最少： 1
倍數： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 3 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET PTD HIGH VOLTAGE
規格書
暫無庫存
最少： 3,000
倍數： 3,000

Si Through Hole IPAK-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2.5 A 1.35 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube